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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
総合得点
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,013.5
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
68
周辺 -113% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
32
読み出し速度、GB/s
4,402.8
15.9
書き込み速度、GB/秒
2,013.5
10.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
701
2733
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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