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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
総合得点
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,013.5
11.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
68
周辺 -62% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
42
読み出し速度、GB/s
4,402.8
15.6
書き込み速度、GB/秒
2,013.5
11.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
701
2595
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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