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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
総合得点
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
総合得点
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
18
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,381.6
12.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
60
周辺 -173% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
22
読み出し速度、GB/s
5,082.2
18.0
書き込み速度、GB/秒
2,381.6
12.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
925
2978
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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