RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 17.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 11.9
    テスト平均値
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 60
    周辺 -186% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 3038

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
メモリRAM