RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 18.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 14.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 60
    周辺 -186% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 3077

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM