RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 60
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 2,381.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 1773

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
メモリRAM