RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 18.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 14.6
    テスト平均値
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB 考慮すべき理由
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 60
    周辺 -88% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 3217

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
メモリRAM