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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
44
周辺 -83% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
14
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8,883.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
24
読み出し速度、GB/s
14,740.4
15.5
書き込み速度、GB/秒
8,883.4
9.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2811
2442
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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