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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
比較する
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8,883.4
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
44
周辺 -63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
14
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
27
読み出し速度、GB/s
14,740.4
18.5
書き込み速度、GB/秒
8,883.4
16.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2811
3767
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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