RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston 9965589-033.D00G 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965589-033.D00G 8GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 11.6
    テスト平均値
Kingston 9965589-033.D00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 44
    周辺 -47% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 8,883.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14,740.4 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8,883.4 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2811 left arrow 2176

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
メモリRAM