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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

総合得点
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

総合得点
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8,883.4 left arrow 10.7
    テスト平均値
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 44
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 14
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    14,740.4 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8,883.4 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2811 left arrow 2620

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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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