RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.1
    テスト平均値
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 117
    周辺 -409% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 2,303.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    117 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,094.8 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,303.7 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    784 left arrow 2591

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
メモリRAM