RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 20.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 63
    周辺 -163% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 1,583.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    3,895.6 left arrow 20.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,583.7 left arrow 17.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    639 left arrow 4122

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAMの比較

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
メモリRAM