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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
63
周辺 -174% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
1,583.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
23
読み出し速度、GB/s
3,895.6
18.2
書き込み速度、GB/秒
1,583.7
15.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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