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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比較する
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
63
周辺 -110% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
1,583.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
30
読み出し速度、GB/s
3,895.6
16.0
書き込み速度、GB/秒
1,583.7
10.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
639
3026
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