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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

総合得点
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

総合得点
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB 考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 35
    周辺 -17% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1570 left arrow 1254

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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