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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
総合得点
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
総合得点
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
37
周辺 5% 低遅延
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
21.4
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
37
読み出し速度、GB/s
12.3
21.4
書き込み速度、GB/秒
7.3
14.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1570
3448
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Frequency (Mhz) *
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