Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

総合得点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

総合得点

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 35

周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.9 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 7.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 31
読み出し速度、GB/s

12.3 19.9
書き込み速度、GB/秒

7.3 14.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1570 3357

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

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G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Kingston 9905599-010.A00G 4GB

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

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PNY Electronics PNY 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

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