Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

総合得点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 35

周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.3 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.2 7.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

35 27
読み出し速度、GB/s

12.3 15.3
書き込み速度、GB/秒

7.3 11.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1570 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

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