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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Kingston 9905700-024.A00G 8GB

総合得点
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

総合得点
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Kingston 9905700-024.A00G 8GB

Kingston 9905700-024.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 96
    周辺 64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 6.7
    テスト平均値
Kingston 9905700-024.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 96
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1570 left arrow 1475

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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