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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
総合得点
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
35
周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
29
読み出し速度、GB/s
12.3
15.6
書き込み速度、GB/秒
7.3
12.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1570
3093
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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