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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

総合得点
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1570 left arrow 2558

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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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