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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
総合得点
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
総合得点
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
77
周辺 55% 低遅延
考慮すべき理由
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
77
読み出し速度、GB/s
12.3
15.5
書き込み速度、GB/秒
7.3
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1570
1809
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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