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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

総合得点
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    3,071.4 left arrow 12.5
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 70
    周辺 -89% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    4,372.7 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    3,071.4 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 3075

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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メモリRAM
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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