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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Kingston HX424C15FB/8 8GB

総合得点
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

総合得点
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Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.9
    テスト平均値
Kingston HX424C15FB/8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HX424C15FB/8 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 70
    周辺 -218% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 3,071.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    4,372.7 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    3,071.4 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2684

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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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