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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

総合得点
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

総合得点
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    3,071.4 left arrow 13.0
    テスト平均値
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 70
    周辺 -204% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,372.7 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    3,071.4 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2548

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6D1 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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