RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

総合得点
star star star star star
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    70 left arrow 90
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.6
    テスト平均値
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 3,071.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 90
  • 読み出し速度、GB/s
    4,372.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    3,071.4 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 1743

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAMの比較

Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
メモリRAM