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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 28
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3066

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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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メモリRAM
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Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
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メモリRAM
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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