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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3866

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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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INTENSO 5641160 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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