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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 28
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.5 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2113

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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
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