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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 60
    周辺 53% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.5 left arrow 2.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 7.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 2.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 1505

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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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