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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比較する
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
総合得点
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
総合得点
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
33
周辺 15% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
5.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
33
読み出し速度、GB/s
9.4
15.3
書き込み速度、GB/秒
5.5
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1453
2697
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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