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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3007

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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 9965604-008.D00G 16GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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