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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比較する
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
総合得点
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
総合得点
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
46
周辺 39% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
5.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
46
読み出し速度、GB/s
9.4
15.9
書き込み速度、GB/秒
5.5
12.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2936
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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