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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 28
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3814

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メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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