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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2073

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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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メモリRAM
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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