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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 31
    周辺 10% 低遅延
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3100

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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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