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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 81
    周辺 65% 低遅延
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.5 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 12.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 1460

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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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メモリRAM
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
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