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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2890

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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