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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2890

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Kingston HX316C10F/8 8GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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