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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 62
    周辺 55% 低遅延
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 1891

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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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