RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

総合得点
star star star star star
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB 考慮すべき理由
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.1
    テスト平均値
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 54
    周辺 -2% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 1,781.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    4,269.3 left arrow 10.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,781.8 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    618 left arrow 2319

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
メモリRAM