STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

総合得点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

相違点仕様コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 13.5

テスト平均値

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

考慮すべき理由
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 63

周辺 -133% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

6.8 1,447.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

63 27
読み出し速度、GB/s

3,231.0 13.5
書き込み速度、GB/秒

1,447.3 6.8
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

478 2172

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

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Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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