RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
比較する
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
総合得点
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
63
周辺 -117% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
1,447.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
29
読み出し速度、GB/s
3,231.0
15.5
書き込み速度、GB/秒
1,447.3
12.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
478
3091
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link