RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

総合得点
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.2
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 63
    周辺 -110% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 3208

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM