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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
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Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.5
    テスト平均値
Kingston HX424C15FB/16 16GB 考慮すべき理由
Kingston HX424C15FB/16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 63
    周辺 -186% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2550

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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メモリRAM
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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