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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
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Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.5
    テスト平均値
Kingston KTP9W1-MID 16GB 考慮すべき理由
Kingston KTP9W1-MID 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 63
    周辺 -97% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 3424

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較

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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Mushkin 992018 (997018) 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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