RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

総合得点
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.8
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 63
    周辺 -29% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2534

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
メモリRAM