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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
総合得点
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
63
周辺 -91% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
1,447.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
33
読み出し速度、GB/s
3,231.0
18.5
書き込み速度、GB/秒
1,447.3
13.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
478
3341
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Frequency (Mhz) *
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