RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 10.3
    テスト平均値
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 63
    周辺 -19% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2356

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
メモリRAM