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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
比較する
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
総合得点
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
47
周辺 34% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
47
読み出し速度、GB/s
11.7
14.0
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1990
2640
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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